- Réacteurs CVD / ALD / PECVD / RIE
Format de table
Les réacteurs CVD / ALD / PECVD / RIE de format de table de Plasmionique…
Plasmionique propose divers réacteurs à plasma pour le nettoyage, la gravure, le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et la synthèse de matériaux nanostructurés. Les processus sont réalisés à l’aide de plasmas générés par courant continu (DC), haute fréquence (HF), radiofréquence (RF) ou micro-ondes, dans des régimes atmosphériques ou sous basse pression.
Les réacteurs CVD / ALD / PECVD / RIE sont proposés dans des configurations de plasma à couplage capacitif (CCP) ou à couplage inductif (ICP). Les processus de gravure ou de PECVD sont effectués en utilisant des gaz ou des précurseurs contenant des radicaux chimiquement réactifs.
Les plasmas à couplage capacitif (CCP) dans les réacteurs de gravure sont générés entre deux électrodes parallèles. Les réacteurs CCP sont les systèmes de plasma les plus couramment utilisés dans la gravure sèche. La puissance est appliquée à l’électrode inférieure (gravure ionique réactive, RIE) ou à l’électrode supérieure (gravure plasma, PE). Les réacteurs typiques utilisent une puissance RF de 13,56 MHz. L’électrode inférieure sert de support de substrat, et l’électrode supérieure forme la tête de pulvérisation de gaz.
Les plasmas à couplage inductif (ICP) sont générés en couplant le champ RF d’une antenne en forme de bobine au plasma à travers un diélectrique. Les réacteurs les plus courants ont une antenne plate de style pancake, avec le diélectrique en quartz ou en alumine.
Dans les réacteurs ICP, le support de substrat est souvent polarisé, ce qui permet un contrôle indépendant de la densité du plasma et de l’énergie des ions bombardant le substrat. Cette fonctionnalité est nécessaire pour la gravure ionique réactive profonde (DRIE).
De plus, les réacteurs CVD / ALD / PECVD / RIE sont proposés dans les options suivantes :
Les réacteurs CVD (dépôt chimique en phase vapeur) à base de composés organométalliques (MOCVD) utilisent des précurseurs organométalliques comme source réactive principale dans le processus CVD.
Le dépôt en couches atomiques (ALD) est essentiellement un processus CVD pulsé dans lequel la réaction se produit généralement à la suite de deux impulsions successives de deux précurseurs réactifs et de gaz ou de vapeurs. Cela permet un contrôle précis de la monocouche.
Les fours CVD horizontaux ont la possibilité de fonctionner avec une ou plusieurs zones de chauffage. Associés aux systèmes de contrôle des gaz, des vapeurs et des liquides, ces systèmes offrent une flexibilité inégalée. Des dispositifs permettant d’incliner le four pour charger et décharger la poudre peuvent également être intégrés.
Ce produit est disponible dans les formats suivants:
Les réacteurs CVD / ALD / PECVD / RIE de format de table de Plasmionique…
Les réacteurs CVD / ALD / PECVD / RIE de format compact de Plasmionique combinent…
Les réacteurs CVD / ALD / PECVD / RIE de format standard de Plasmionique sont…
Les fours CVD / PECVD horizontaux de Plasmionique ont la possibilité de fonctionner avec une…
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