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Les sources de plasma immergées sont généralement utilisées pour la gravure sèche, notamment la gravure réactive par ions (RIE), ou le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Elles sont également utilisées pour des applications telles que la polymérisation plasma. Les sources de plasma inductivement couplé, fonctionnant avec des générateurs RF, ont leur antenne à l’extérieur de la chambre à plasma, ce qui leur confère l’avantage d’être une source de plasma sans électrode, éliminant ou réduisant au minimum la possibilité d’introduire des impuretés dans le plasma de traitement.

Les sources de plasma inductivement couplé à distance sont généralement utilisées pour le dépôt assisté par plasma ALD, le dépôt réactif amélioré par plasma, le nettoyage à distance par plasma, la fonctionnalisation de surface, etc. Les sources de plasma inductivement couplé à distance peuvent également être configurées comme sources de faisceau d’ions ou d’atomes neutres.

Pour les applications de sources de faisceau d’ions et d’atomes neutres, un module d’extraction de faisceau est également intégré à chaque source. Des densités de courant de faisceau ionique allant jusqu’à 6 mA/cm² peuvent être atteintes avec les sources de faisceau ionique du plasma inductivement couplé.

Les exemples d’application des sources de faisceau ionique incluent le nettoyage de surface, la gravure par faisceau ionique, le dépôt assisté par faisceau ionique (IBAD) et le dépôt par pulvérisation assistée par faisceau ionique.

Les sources d’ions sans grille sont de type source d’ions End-Hall avec une option de conception unique, permettant de fonctionner sans filament à des énergies supérieures à 450 eV.

La source d’ions End-Hall génère un faisceau ionique large et polyvalent à basse énergie et à haut courant (l’énergie typique se situe dans la plage de 30 à 500 eV et le courant du faisceau est de l’ordre de 1 A). Cette source d’ions fonctionne à des pressions inférieures à 1 mTorr, ce qui en fait un choix idéal pour le nettoyage d’échantillons et l’activation de surface. Cette source d’ions est fréquemment utilisée, en tandem avec un évaporateur, dans les applications de dépôt assisté par ion (IAD). Les sources d’ions End-Hall sont également utilisées dans le dépôt par pulvérisation assistée par ion (IBS), la pulvérisation à double faisceau ionique (DIBS) et de nombreuses autres applications de traitement de surface.

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